探秘手机内部 挖出那些影响续航的硬件芯片

内蒙古新闻网2019-08-20 12:18:12 0

除了屏幕,手机内部集成的各种芯片和零部件同样需要电力驱动,而不同的芯片搭配,往往也会影响到最终的续航结果。

内存芯片

如今手机内存主要以LPDDR4和LPDDR4X为主。和更早期的LPDDR3内存相比,LPDDR4将运行频率从933MHz提升到了1600MHzMHz,工作电压也从1.2V降低到1.1V;LPDDR4X的Vddq电压则进一步从1.1V降至0.6V(Vdd2电压保持1.1V不变),运行频率最高可达2133MHz,不仅效率(性能)更高,功耗最多也能下降40%。


探秘手机内部 挖出那些影响续航的硬件芯片


通过内存生产工艺的升级,其功耗还能进一步降低。

据悉,三星第二代10nm工艺的LPDDR4X内存已经量产,相比第一代虽然性能没有提升,但是功耗却可再降10%,可使手机平板等移动设备更省电。

因此,在电池和其他硬件一致时,手机如果能搭配10nm工艺的LPDDR4X内存,在续航潜力的表现上自然更加值得期待。

此外,内存性能越高,意味着手机可以在更短的时间内完成数据交互,同样有利于节省电力。

以LPDDR4X内存为例,它就可以运行在单通道(多与骁龙4系搭配)、双通道(骁龙6/7系)和四通道(骁龙8系,麒麟980)模式,通道数越多性能越强。


探秘手机内部 挖出那些影响续航的硬件芯片


在不久的将来(预计2020年),手机内存还会进化到LPDDR5时代,抛开性能不谈,LPDDR5内存较LPDDR4X的功耗还能再降30%,它自然又是可以延长续航时间的芯片之一。

闪存芯片

闪存芯片大家应该会更熟悉一些,目前手机领域主要以eMMC5.1和UFS2.1为主,而一加7、三星Note10、黑鲨2 Pro和ROG2等手机都用上了UFS3.0闪存。以持续读取速度为例,eMMC5.1最高约400MB/s,UFS2.1平均在900MB/s左右,而UFS3.0则可突破1500MB/s大关。


探秘手机内部 挖出那些影响续航的硬件芯片


速度的增加,可以让UFS闪存在更短时间完成数据的读写,从而更快进入省电待机状态。

最新的UFS3.0还进一步通过2.5V VCC电压降低功耗,并支持最新NAND Flash技术,工作温度范围也从-25摄氏度~85摄氏度扩展到了-45摄氏度~105摄氏,可避免在极高/低温环境下手机停止工作的情况。

可见,当手机用上UFS2.1或UFS3.0闪存后,无论是性能、功耗(主要在效率更高)还是可靠性都能进一步提升,当它们与10nm LPDDR4X或LPDDR5内存搭配后,就手机存储单元的功耗表现将更加理想。

通信芯片

手机内置的通信芯片(4G+蓝牙+Wi-Fi+GPS)同样是手机硬件耗电的主要来源,再上层的应用都是通过调取这些器件产生耗电。

声明:本新闻源自内蒙古新闻网整理编辑,如本站文章和转稿涉及版权问题,请作者及时联系本站,我们会尽快处理。
标题:探秘手机内部 挖出那些影响续航的硬件芯片   原文地址:http://www.yjhl.cn/kj/10539.html

分享:

织梦二维码生成器

扫一扫在手机阅读、分享本文

发表评论
验证码: 看不清?点击更换

注:网友评论仅供其表达个人看法,并不代表本站立场。